首页 > 商品目录 > > > > PSMN1R1-40BS,118代替型号比较

PSMN1R1-40BS,118  与  IPB015N04N G  区别

型号 PSMN1R1-40BS,118 IPB015N04N G
唯样编号 A-PSMN1R1-40BS,118 A-IPB015N04N G
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1.2mΩ
上升时间 - 10ns
Qg-栅极电荷 - 250nC
栅极电压Vgs 3V 20V
正向跨导 - 最小值 - 120S
封装/外壳 SOT404 -
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 120A 120A
配置 - Single
输入电容 9710pF -
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 13ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 20000pF @ 20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 200µA
高度 - 4.4mm
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 306W 250W
输出电容 2042pF -
典型关闭延迟时间 - 64ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS3
Rds On(max)@Id,Vgs 1.3mΩ@10V -
典型接通延迟时间 - 40ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 250nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥15.4899
400+ :  ¥13.127
800+ :  ¥12.0431
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN1R1-40BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN1R1-40BS_SOT404

¥15.4899 

阶梯数 价格
210: ¥15.4899
400: ¥13.127
800: ¥12.0431
0 当前型号
IRFS7437TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-263AB

暂无价格 800 对比
IRF2804STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比
IRLS3034TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

10.67mm

暂无价格 0 对比
IPB015N04N G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB015N04NGATMA1_10mm

暂无价格 0 对比
IRFS3004TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售